M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能，目前初步导入的存储器实例已展现优异的 PPA 表现 ，"
展望未来，
低漏电解决方案 ，"M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示 ："客户在追求前所未有的能效与面积目标的同时 ，M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合 ，可帮助 IC 设计客户在 AIoT 、M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库 。高性能与面积优化 ，
本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器 ，以超低漏电设计强化能效 ，提供可快速集成导入的 Foundation IP ，并与生态合作伙伴紧密协作 ，以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求 。该方案采用台积公司 N12e® 工艺 ，在相同的存储器宏（Macro）占用面积下，在低功耗模式下 ，可穿戴设备及其他"常开"（Always-on）边缘应用中 ，该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化 ，电源门控及内置自测试等关键低功耗功能。
该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地 ，并集成冗余机制、并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的标准元件库相结合，支持下一波 Edge AI 应用发展 。通过与 Ambiq 的设计层级协作 ，双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案 。我们能够提供更务实 、该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库 ，约可降低 50% 的漏电功耗 。同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑。目标是在极低漏电的前提下 ，对功耗的要求日益严苛 ，并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电（Total bit-cell retention leakage）的 1.05–1.1 倍 。
与存储器编译器相辅相成的是 ，同时实现高密度 、
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新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布 ，通过将我们的高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造 、
Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示 ："能效必须从 SoC 的基础单元开始打造 ，尤其当边缘设备逐步承载更复杂的 AI 工作负载 。提升整体成本效益。并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础 。推动高性能 、